هواوی در میانهی فشارها و محدودیتهای غرب، پتنت تازهای را منتشر کرده که میتواند مسیر ساخت تراشههای ۲ نانومتری را بدون نیاز به تجهیزات تحریمی هموار کند. این سند که در سال ۲۰۲۲ ثبت شده و اخیراً با اشارهی «فردریک چن»، پژوهشگر باسابقهی صنعت نیمههادی، منتشر شده است، روشی را تشریح میکند که با استفاده از ابزارهای لیتوگرافی DUV – تجهیزاتی که همچنان در دسترس چین قرار دارند – امکان رسیدن به سطح لیتوگرافی ۲ نانومتر را فراهم میکند؛ بدون اینکه به ماشینهای EUV شرکت ASML وابسته باشد.
در این روش، هواوی با تکیه بر نسخهای بهبودیافته از فناوری الگویگذاری چهارترازی خودهمتراز (SAQP) قصد دارد به فاصلهی فلزی ۲۱ نانومتر دست یابد؛ معیاری مهم که تراشه را در ردهی فناوری ۲ نانومتری شرکتهایی چون TSMC و سامسونگ قرار میدهد؛ شرکتهایی که به شدت به EUV وابستهاند.
طرح مفهومی منتشرشده نشان میدهد هواوی به دنبال نسخهای کارآمدتر از SAQP است که تعداد نوردهیهای موردنیاز در لیتوگرافی DUV را به چهار مرحله محدود میکند؛ عددی بسیار کمتر از روشهای چندمرحلهای پیچیدهی رایج در این حوزه.
این رویکرد میتواند امکان جهش از تراشهی جدید Kirin 9030 که با لیتوگرافی N+3 شرکت SMIC ساخته شده، به نسل ۲ نانومتر را فراهم کند؛ آن هم بدون استفاده از تجهیزات EUV که صادراتشان تحت تحریم است.
با وجود این، کارشناسان با احتیاط به موضوع مینگرند. حتی اگر این روش در سطح آزمایشگاهی جواب دهد، تولید انبوه آن ممکن است با چالشهای جدی روبهرو شود. SAQP در چنین ابعادی معمولاً با مشکلاتی مانند کاهش بازده، افزایش نرخ نقص و هزینهی بسیار بالا همراه است – همان موانعی که باعث شد شرکتهای پیشرو برای فناوری ۳ نانومتر و کوچکتر به EUV روی بیاورند.
با این حال، اگر روزی این روش ۲ نانومتری مبتنی بر SAQP به تولید انبوه برسد، میتواند دستاوردی بیسابقه در برابر تحریمها به شمار آید. فعلاً این پتنت نشانهای از عزم جدی هواوی و یادآور این نکته است که چین برای پیشبرد خودکفایی، آماده است تواناییهای فناوری لیتوگرافی قدیمیتر را تا مرزهای جدید به چالش بکشد.
هیچ دیدگاهی برای این مطلب ثبت نشده است.